突破后，英飞凌瞄准了GaN芯片市场的大份额

　　

　　

　　(路透社)-德国半导体制造商英飞凌周三表示，将在不断增长的氮化镓(GaN)芯片市场中占有很大份额，此前英飞凌宣布了一项技术突破，称该突破将降低成本。

　　英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck告诉记者，到本十年末，这项技术的市场规模将达到数十亿美元。

　　“我们希望塑造市场，”他补充说。

　　GaN是芯片制造中硅的替代品，GaN芯片因其效率，速度，重量轻以及在高温条件和高压下工作的能力而受到青睐。

　　这种芯片可以为笔记本电脑、智能手机和电动汽车等设备制造更小的充电器。

　　Hanebeck告诉记者:“我们预计未来几年氮化镓芯片的市场价格将接近硅的价格。”

　　英飞凌(Infineon)已经能够在300毫米晶圆上生产GaN芯片，该公司称赞这是全球首创。

　　Hanebeck表示，300mm晶圆上可以容纳的GaN芯片是200mm晶圆上的2.3倍，从而降低了生产成本。

　　(Hakan Ersen报道，Louis van Boxel-Woolf写作，Rachel More编辑)

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